GS66516T-E02-MR

製品属性

属性値

メーカー：

GaNシステム

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

GaN

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

GaNPX-4

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

650 V

Id-連続ドレイン電流：

60 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

25 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

1.3 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

7 V

Qg-ゲートチャージ：

12 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

構成：

独身

チャネルモード：

強化

包装：

リール

高さ：

0.54 mm

長さ：

9 mm

製品：

MOSFET

シリーズ：

GS66516x

トランジスタタイプ：

1 N-Channel

幅：

7.6 mm

ブランド：

GaNシステム

感湿性：

はい

製品タイプ：

MOSFET

ファクトリーパックの数量：

250

サブカテゴリ：

MOSFET

パーツ番号エイリアス：

GS66516T-E02-MR

Tags

GS665, GS66, GS6