SUP45P03-09-GE3

製品属性

属性値

メーカー：

ビシェイ

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

スルーホール

パッケージ/ケース：

TO-220-3

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Pチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

30 V

Id-連続ドレイン電流：

45 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

7.2 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

2.5 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

20 V

Qg-ゲートチャージ：

90 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

73.5 W

構成：

独身

チャネルモード：

強化

商標名：

TrenchFET

シリーズ：

SUP

トランジスタタイプ：

1 P-Channel

ブランド：

Vishay / Siliconix

フォワード相互コンダクタンス-最小：

45 S

立ち下がり時間：

12 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

11 ns

ファクトリーパックの数量：

500

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

40 ns

典型的なターンオン遅延時間：

12 ns

単位重量：

0.063493 oz

Tags

SUP45, SUP4, SUP