TPS1100PWR

製品属性

属性値

メーカー：

テキサスインスツルメンツ

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

TSSOP-8

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Pチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

15 V

Id-連続ドレイン電流：

1.27 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

180 mOhms

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

15 V

最低動作温度：

- 40 C

最高作動温度：

+ 85 C

Pd-消費電力：

504 mW

構成：

独身

チャネルモード：

強化

包装：

リール

高さ：

1.2 mm

長さ：

4.4 mm

製品：

MOSFET小信号

シリーズ：

TPS1100

トランジスタタイプ：

1 P-Channel

タイプ：

MOSFET

幅：

3 mm

ブランド：

テキサスインスツルメンツ

フォワード相互コンダクタンス-最小：

2.5 S

立ち下がり時間：

10 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

10 ns

ファクトリーパックの数量：

2000

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

13 ns

典型的なターンオン遅延時間：

4.5 ns

単位重量：

0.001376 oz

Tags

TPS1100P, TPS1100, TPS110, TPS11, TPS1, TPS