DMG4413LSS-13

製品属性

属性値

メーカー：

組み込まれたダイオード

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

SOIC-8

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Pチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

30 V

Id-連続ドレイン電流：

12 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

7.5 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

1.1 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

10 V

Qg-ゲートチャージ：

46 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

2.5 W

構成：

独身

チャネルモード：

強化

包装：

リール

製品：

MOSFET小信号

シリーズ：

DMG4413L

トランジスタタイプ：

1 P-Channel

ブランド：

組み込まれたダイオード

フォワード相互コンダクタンス-最小：

26 S

立ち下がり時間：

66 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

9 ns

ファクトリーパックの数量：

2500

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

160 ns

典型的なターンオン遅延時間：

15 ns

単位重量：

0.030018 oz

Tags

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