EMH2417R-TL-H

製品属性

属性値

メーカー：

オン・セミコンダクター

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

EMH-8

チャネル数：

2 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

12 V

Id-連続ドレイン電流：

11 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

8 mOhms, 8 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

500 mV

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

12 V

Qg-ゲートチャージ：

16 nC, 16 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

1.3 W

構成：

デュアル

チャネルモード：

強化

包装：

リール

シリーズ：

EMH2417R

トランジスタタイプ：

2 N-channel

ブランド：

オン・セミコンダクター

フォワード相互コンダクタンス-最小：

13 S, 13 S

立ち下がり時間：

6.4 us, 6.4 us

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

1.6 us, 1.6 us

ファクトリーパックの数量：

3000

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

8.9 us, 8.9 us

典型的なターンオン遅延時間：

470 ns, 470 ns

Tags

EMH241, EMH24, EMH2, EMH