BFT25,215

製品属性

属性値

メーカー：

NXP

製品カテゴリ：

RFバイポーラトランジスタ

JBoss：

Y

トランジスタタイプ：

バイポーラ

テクノロジー：

Si

トランジスタの極性：

NPN

DCコレクター/ベースゲインhfe最小：

20

コレクター-エミッター電圧VCEOMax：

5 V

エミッタ-ベース電圧VEBO：

2 V

連続コレクタ電流：

6.5 mA

最低動作温度：

- 65 C

最高作動温度：

+ 150 C

構成：

独身

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

SOT-23

包装：

リール

コレクター-ベース電圧VCBO：

8 V

DC電流ゲインhFEMax：

20

高さ：

1 mm

長さ：

3 mm

動作周波数：

2300 MHz

タイプ：

RFバイポーラ小信号

幅：

1.4 mm

ブランド：

NXPセミコンダクターズ

ゲイン帯域幅積fT：

2300 MHz

最大DCコレクタ電流：

10 mA

Pd-消費電力：

30 mW

製品タイプ：

RFバイポーラトランジスタ

ファクトリーパックの数量：

3000

サブカテゴリ：

トランジスタ

パーツ番号エイリアス：

933222700215

単位重量：

0.000282 oz

Tags

BFT25, BFT2, BFT