STW3N170

製品属性

属性値

メーカー：

STMicroelectronics

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

スルーホール

パッケージ/ケース：

TO-3PF-3

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

1.7 kV

Id-連続ドレイン電流：

2.6 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

13 Ohms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

3 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

30 V

Qg-ゲートチャージ：

44 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

63 W

構成：

独身

チャネルモード：

強化

商標名：

PowerMESH

包装：

チューブ

シリーズ：

STW3N170

トランジスタタイプ：

1 N-Channel

ブランド：

STMicroelectronics

立ち下がり時間：

53 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

9 ns

ファクトリーパックの数量：

600

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

51 ns

典型的なターンオン遅延時間：

25 ns

単位重量：

0.245577 oz

Tags

STW3N, STW3, STW