RF4C050APTR

製品属性

属性値

メーカー：

ロームセミコンダクター

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

DFN2020-8

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Pチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

20 V

Id-連続ドレイン電流：

10 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

65 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

300 mV

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

8 V

Qg-ゲートチャージ：

55 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

2 W

構成：

独身

チャネルモード：

強化

包装：

リール

高さ：

0.65 mm

長さ：

2.1 mm

製品：

MOSFET

シリーズ：

RF4C050AP

トランジスタタイプ：

1 P-Channel

タイプ：

パワーMOSFET

幅：

2.1 mm

ブランド：

ロームセミコンダクター

フォワード相互コンダクタンス-最小：

8 S

立ち下がり時間：

160 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

16 ns

ファクトリーパックの数量：

3000

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

580 ns

典型的なターンオン遅延時間：

16 ns

パーツ番号エイリアス：

RF4C050AP

単位重量：

0.196723 oz

Tags

RF4C0, RF4C, RF4