ZXMN3A04DN8TA

Mfr. #:: ZXMN3A04DN8TA
メーカー:: Diodes Incorporated
説明:: Darlington Transistors MOSFET Dl 30V N-Chnl UMOS
ライフサイクル:: メーカー新製品
データシート:: ZXMN3A04DN8TA データシート
配達:: DHL FedEx Ups TNT EMS
支払い:: T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:

製品属性
属性値

メーカー: 組み込まれたダイオード

製品カテゴリ: FET-アレイ

シリーズ: ZXMN3A

包装: Digi-ReelR代替パッケージ

単位重量: 0.002610 oz

取り付けスタイル: SMD / SMT

パッケージ-ケース: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

テクノロジー: Si

作動温度: -55°C ~ 150°C (TJ)

取付タイプ: 表面実装

チャネル数: 2 Channel

サプライヤー-デバイス-パッケージ: 8-SO

構成: デュアルデュアルドレイン

FETタイプ: 2 N-Channel (Dual)

パワーマックス: 1.81W

トランジスタタイプ: 2 N-Channel

Drain-to-Source-Voltage-Vdss: 30V

入力-静電容量-Ciss-Vds: 1890pF @ 15V

FET機能: ロジックレベルゲート

Current-Continuous-Drain-Id-25°C: 6.5A

Rds-On-Max-Id-Vgs: 20 mOhm @ 12.6A, 10V

Vgs-th-Max-Id: 1V @ 250μA (Min)

ゲートチャージ-Qg-Vgs: 36.8nC @ 10V

Pd-電力損失: 2.15 W

最高作動温度: + 150 C

最低作動温度: - 55 C

立ち下がり時間: 20.2 ns

立ち上がり時間: 6.1 ns

Vgs-Gate-Source-Voltage: 20 V

Id-連続-ドレイン-電流: 8.5 A

Vds-ドレイン-ソース-ブレークダウン-電圧: 30 V

Rds-On-Drain-Source-Resistance: 30 mOhms

トランジスタ-極性: Nチャネル

典型的なターンオフ遅延時間: 38.1 ns

典型的なターンオン遅延時間: 5.2 ns

チャネルモード: 強化

Tags: ZXMN3A04DN, ZXMN3A04D, ZXMN3A04, ZXMN3A0, ZXMN3A, ZXMN3, ZXMN, ZXM

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ZXMN3A04DN8TA 説明

***ure Electronics: ZXMN3A04DN8 Series Dual N-Channel 30 V 0.02 Ohm Power MOSFET SMT - SOIC-8

***ical: Trans MOSFET N-CH 30V 8.5A Automotive 8-Pin SOIC T/R

***ronik: N-CH 30V 9A 20mOhm SO-8

***ser: MOSFETs Dl 30V N-Chnl UMOS

Market price

モデル	メーカー	説明	ストック	価格
ZXMN3A04DN8TA DISTI # V72:2272_06708086	Zetex / Diodes Inc	Trans MOSFET N-CH 30V 8.5A 8-Pin SOIC T/R RoHS: Compliant	500	75000:$0.8474 30000:$0.8569 15000:$0.8664 6000:$0.8760 3000:$0.8855 1000:$0.8951 500:$0.9047 250:$1.0378 100:$1.0488 50:$1.3098 25:$1.3237 10:$1.3376 1:$1.5777
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ZXMN3A04DN8TA DISTI # ZXMN3A04DN8DKR-ND	Diodes Incorporated	MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8-SOIC RoHS: Compliant Min Qty: 1 Container: Digi-Reel®	3435In Stock	100:$1.4276 10:$1.7770 1:$1.9700
ZXMN3A04DN8TA DISTI # ZXMN3A04DN8TR-ND	Diodes Incorporated	MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8-SOIC RoHS: Compliant Min Qty: 500 Container: Tape & Reel (TR)	3000In Stock	500:$1.0780
ZXMN3A04DN8TA DISTI # 29055441	Zetex / Diodes Inc	Trans MOSFET N-CH 30V 8.5A 8-Pin SOIC T/R RoHS: Compliant	500	500:$0.9047 250:$1.0378 100:$1.0488 50:$1.3098 25:$1.3237 10:$1.3376
ZXMN3A04DN8TA DISTI # ZXMN3A04DN8TA	Diodes Incorporated	Trans MOSFET N-CH 30V 8.5A 8-Pin SOIC T/R - Tape and Reel (Alt: ZXMN3A04DN8TA) RoHS: Not Compliant Min Qty: 500 Container: Reel	Americas - 0	500:$0.7709 1000:$0.7339 2000:$0.6999 3000:$0.6679 5000:$0.6529
ZXMN3A04DN8TA DISTI # 522-ZXMN3A04DN8TA	Diodes Incorporated	MOSFET Dl 30V N-Chnl UMOS RoHS: Compliant	933	1:$1.6500 10:$1.4000 100:$1.1200 500:$0.9810
ZXMN3A04DN8TA	Zetex / Diodes Inc		7122
ZXMN3A04DN8TA DISTI # C1S205700143848	Diodes Incorporated	Trans MOSFET N-CH 30V 8.5A 8-Pin SOIC T/R RoHS: Compliant	500	100:$1.0488 50:$1.3098 25:$1.3237 10:$1.3376 1:$1.5777

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画像	モデル	説明
	Mfr.#: ZXMN3AM832TA OMO.#: OMO-ZXMN3AM832TA	MOSFET Dl 30V N Chnl UMOS
	Mfr.#: ZXMN3A01E6TA OMO.#: OMO-ZXMN3A01E6TA-DIODES	ブランドニューオリジナル
	Mfr.#: ZXMN3A01FTC OMO.#: OMO-ZXMN3A01FTC-DIODES	MOSFET N-CH 30V 1.8A SOT23-3
	Mfr.#: ZXMN3A03E6 OMO.#: OMO-ZXMN3A03E6-1190	MOSFET, N CHANNEL, 30V, 4.6A, SOT-23, Transistor Polarity:N Channel, Continuous Drain Current Id:4.6A, Drain Source Voltage Vds:30V, On Resistance Rds(on):0.05ohm, Rds(on) Test Voltage Vgs:10V,
	Mfr.#: ZXMN3A06DN8 OMO.#: OMO-ZXMN3A06DN8-1190	ブランドニューオリジナル
	Mfr.#: ZXMN3A14FTC OMO.#: OMO-ZXMN3A14FTC-1190	ブランドニューオリジナル
	Mfr.#: ZXMN3AM832AT OMO.#: OMO-ZXMN3AM832AT-1190	ブランドニューオリジナル
	Mfr.#: ZXMN3A01ZTA-CUT TAPE OMO.#: OMO-ZXMN3A01ZTA-CUT-TAPE-1190	ブランドニューオリジナル
	Mfr.#: ZXMN3A01ZTA OMO.#: OMO-ZXMN3A01ZTA-DIODES	IGBT Transistors MOSFET 30V N-Ch ENH Mode 120mOhm 10VGS 3.3A
	Mfr.#: ZXMN3A04KTC OMO.#: OMO-ZXMN3A04KTC-DIODES	MOSFET N-Ch 30 Volt 18.4A