DMP45H4D9HJ3

製品属性

属性値

メーカー：

組み込まれたダイオード

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

スルーホール

パッケージ/ケース：

TO-251-3

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Pチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

450 V

Id-連続ドレイン電流：

4.6 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

3.1 Ohms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

5 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

30 V

Qg-ゲートチャージ：

13.7 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

104 W

構成：

独身

チャネルモード：

強化

トランジスタタイプ：

1 P-Channel

ブランド：

組み込まれたダイオード

立ち下がり時間：

31 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

40 ns

ファクトリーパックの数量：

75

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

32 ns

典型的なターンオン遅延時間：

19 ns

単位重量：

0.011640 oz

Tags

DMP45, DMP4, DMP