NSVBC847BLT3G

製品属性

属性値

メーカー：

オン・セミコンダクター

製品カテゴリ：

バイポーラトランジスタ-BJT

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

SOT-23-3

トランジスタの極性：

NPN

構成：

独身

コレクター-エミッター電圧VCEOMax：

45 V

コレクター-ベース電圧VCBO：

50 V

エミッタ-ベース電圧VEBO：

6 V

コレクター-エミッター飽和電圧：

0.6 V

ゲイン帯域幅積fT：

100 MHz

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

DC電流ゲインhFEMax：

450

包装：

リール

ブランド：

オン・セミコンダクター

連続コレクタ電流：

100 mA

DCコレクター/ベースゲインhfe最小：

200

Pd-消費電力：

225 mW

製品タイプ：

BJT-バイポーラトランジスタ

資格：

AEC-Q101

ファクトリーパックの数量：

10000

サブカテゴリ：

トランジスタ

単位重量：

0.000282 oz

Tags

NSVBC847, NSVBC84, NSVBC8, NSVBC, NSVB, NSV