FQB22P10TM-F085

製品属性

属性値

メーカー：

オン・セミコンダクター

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

TO-263-3

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Pチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

100 V

Id-連続ドレイン電流：

22 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

125 mOhms

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

30 V

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 175 C

Pd-消費電力：

3.75 W

構成：

独身

チャネルモード：

強化

資格：

AEC-Q101

商標名：

QFET

包装：

リール

高さ：

4.83 mm

長さ：

10.67 mm

シリーズ：

FQB22P10TM_F085

トランジスタタイプ：

1 P-Channel

幅：

9.65 mm

ブランド：

オン・セミコンダクター/フェアチャイルド

立ち下がり時間：

110 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

170 ns

ファクトリーパックの数量：

800

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

60 ns

典型的なターンオン遅延時間：

17 ns

パーツ番号エイリアス：

FQB22P10TM_F085

単位重量：

0.045856 oz

Tags

FQB22P10T, FQB22P, FQB22, FQB2, FQB