IXTA7N60P

IXTA7N60P
Mfr. #:
IXTA7N60P
メーカー:
IXYS
説明:
IGBT Transistors MOSFET 7 Amps 600V 1.1 Ohms Rds
ライフサイクル:
メーカー新製品
データシート:
IXTA7N60P データシート
配達:
DHL FedEx Ups TNT EMS
支払い:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
製品属性
属性値
メーカー
IXYS
製品カテゴリ
トランジスタ-FET、MOSFET-シングル
シリーズ
IXTA7N60
包装
チューブ
単位重量
1600 g
取り付けスタイル
SMD / SMT
テクノロジー
Si
チャネル数
1 Channel
構成
独身
パッケージ-ケース
TO-252-3
トランジスタタイプ
1 N-Channel
Pd-電力損失
150 W
最高作動温度
+ 150 C
最低作動温度
- 55 C
立ち下がり時間
26 ns
立ち上がり時間
27 ns
Vgs-Gate-Source-Voltage
30 V
Id-連続-ドレイン-電流
7 A
Vds-ドレイン-ソース-ブレークダウン-電圧
600 V
Rds-On-Drain-Source-Resistance
1.1 Ohms
トランジスタ-極性
Nチャネル
典型的なターンオフ遅延時間
65 ns
典型的なターンオン遅延時間
20 ns
フォワード-相互コンダクタンス-最小
7 S
チャネルモード
強化
Tags
IXTA7, IXTA, IXT
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Step1: Vacuum Packaging with PL
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モデル メーカー 説明 ストック 価格
IXTA7N60P
DISTI # 747-IXTA7N60P
IXYS CorporationMOSFET 7 Amps 600V 1.1 Ohms Rds
RoHS: Compliant
0
    画像 モデル 説明
    IXTA3N120

    Mfr.#: IXTA3N120

    OMO.#: OMO-IXTA3N120

    MOSFET 3 Amps 1200V 4.5 Rds
    IXTA1R4N120P

    Mfr.#: IXTA1R4N120P

    OMO.#: OMO-IXTA1R4N120P

    MOSFET 1.4 Amps 1200V 15 Rds
    IXTA44N30T

    Mfr.#: IXTA44N30T

    OMO.#: OMO-IXTA44N30T

    MOSFET 44 Amps 300V 85 Rds
    IXTA100N04T2 TRL

    Mfr.#: IXTA100N04T2 TRL

    OMO.#: OMO-IXTA100N04T2-TRL-1190

    ブランドニューオリジナル
    IXTA180N085

    Mfr.#: IXTA180N085

    OMO.#: OMO-IXTA180N085-1190

    ブランドニューオリジナル
    IXTA1N100TC

    Mfr.#: IXTA1N100TC

    OMO.#: OMO-IXTA1N100TC-1190

    ブランドニューオリジナル
    IXTA180N10T

    Mfr.#: IXTA180N10T

    OMO.#: OMO-IXTA180N10T-IXYS-CORPORATION

    MOSFET 180 Amps 100V 6.1 Rds
    IXTA36N30P

    Mfr.#: IXTA36N30P

    OMO.#: OMO-IXTA36N30P-IXYS-CORPORATION

    IGBT Transistors MOSFET MOSFET N-CH 300V 36A
    IXTA12N50P

    Mfr.#: IXTA12N50P

    OMO.#: OMO-IXTA12N50P-IXYS-CORPORATION

    IGBT Transistors MOSFET 12.0 Amps 500 V 0.5 Ohm Rds
    IXTA3N60P

    Mfr.#: IXTA3N60P

    OMO.#: OMO-IXTA3N60P-IXYS-CORPORATION

    IGBT Transistors MOSFET 3 Amps 600V 2.9 Ohms Rds
    可用性
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    Available
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