CSD23203W

製品属性

属性値

メーカー：

テキサスインスツルメンツ

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

DSBGA-6

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Pチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

8 V

Id-連続ドレイン電流：

3 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

53 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

1.1 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

6 V

Qg-ゲートチャージ：

6.3 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

750 mW

構成：

独身

チャネルモード：

強化

商標名：

NexFET

包装：

リール

高さ：

0.625 mm

長さ：

1.5 mm

シリーズ：

CSD23203W

トランジスタタイプ：

1 P-Channel

幅：

1 mm

ブランド：

テキサスインスツルメンツ

フォワード相互コンダクタンス-最小：

14 S

立ち下がり時間：

27 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

12 ns

ファクトリーパックの数量：

3000

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

58 ns

典型的なターンオン遅延時間：

14 ns

単位重量：

0.000049 oz

Tags

CSD2320, CSD232, CSD23, CSD2, CSD