2SB1205T-TL-E

製品属性

属性値

メーカー：

オン・セミコンダクター

製品カテゴリ：

バイポーラトランジスタ-BJT

JBoss：

Y

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

TO-252-3

トランジスタの極性：

PNP

構成：

独身

コレクター-エミッター電圧VCEOMax：

- 20 V

コレクター-ベース電圧VCBO：

- 25 V

エミッタ-ベース電圧VEBO：

- 5 V

コレクター-エミッター飽和電圧：

- 0.25 V

最大DCコレクタ電流：

- 8 A

ゲイン帯域幅積fT：

320 MHz

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

シリーズ：

2SB1205

DC電流ゲインhFEMax：

400

包装：

リール

ブランド：

オン・セミコンダクター

連続コレクタ電流：

- 5 A

DCコレクター/ベースゲインhfe最小：

60

Pd-消費電力：

10 W

製品タイプ：

BJT-バイポーラトランジスタ

ファクトリーパックの数量：

700

サブカテゴリ：

トランジスタ

単位重量：

0.063493 oz

Tags

2SB1205T, 2SB1205, 2SB120, 2SB12, 2SB1, 2SB