QPD1025

製品属性

属性値

メーカー：

カーボ

製品カテゴリ：

RFMOSFETトランジスタ

JBoss：

Y

トランジスタの極性：

デュアルNチャネル

テクノロジー：

GaN SiC

Id-連続ドレイン電流：

28 A

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

65 V

利得：

22.5 dB

出力電力：

1.862 kW

最低動作温度：

- 40 C

最高作動温度：

+ 85 C

パッケージ/ケース：

NI-1230-4

包装：

トレイ

動作周波数：

1 GHz to 1.1 GHz

シリーズ：

QPD

タイプ：

RFパワーMOSFET

ブランド：

カーボ

チャネル数：

2 Channel

感湿性：

はい

Pd-消費電力：

685 W

製品タイプ：

RFMOSFETトランジスタ

ファクトリーパックの数量：

18

サブカテゴリ：

MOSFET

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

- 2.8 V

Tags

QPD102, QPD10, QPD1, QPD