STB9NK60ZT4

製品属性

属性値

メーカー：

STMicroelectronics

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

TO-263-3

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

600 V

Id-連続ドレイン電流：

7 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

950 mOhms

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

30 V

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

125 W

構成：

独身

チャネルモード：

強化

商標名：

SuperMESH

包装：

リール

高さ：

4.6 mm

長さ：

10.4 mm

シリーズ：

STB9NK60Z

トランジスタタイプ：

1 N-Channel

タイプ：

MOSFET

幅：

9.35 mm

ブランド：

STMicroelectronics

フォワード相互コンダクタンス-最小：

5.3 S

立ち下がり時間：

15 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

17 ns

ファクトリーパックの数量：

1000

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

43 ns

典型的なターンオン遅延時間：

19 ns

単位重量：

0.139332 oz

Tags

STB9NK6, STB9NK, STB9N, STB9, STB