SQUN702E-T1_GE3

製品属性

属性値

メーカー：

ビシェイ

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

死ぬ

チャネル数：

3 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル、Pチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

40 V, 200 V

Id-連続ドレイン電流：

20 A, 30 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

9.2 mOhms, 30 mOhms, 60 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

1.5 V, 2.5 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

20 V

Qg-ゲートチャージ：

14 nC, 23 nC, 30.2 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 175 C

Pd-消費電力：

48 W, 60 W

構成：

トリプル

チャネルモード：

強化

商標名：

TrenchFET

包装：

リール

トランジスタタイプ：

2 N-Channel, 1 P-Channel

ブランド：

Vishay / Siliconix

フォワード相互コンダクタンス-最小：

16 S, 19 S, 65 S

立ち下がり時間：

2 ns, 10 ns, 19 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

3 ns, 9 ns, 12 ns

ファクトリーパックの数量：

2000

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

15 ns, 22 ns, 43 ns

典型的なターンオン遅延時間：

7 ns, 8 ns, 10 ns

Tags

SQU