IXFK200N10P

製品属性

属性値

メーカー：

IXYS

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

スルーホール

パッケージ/ケース：

TO-264-3

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

100 V

Id-連続ドレイン電流：

200 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

7.5 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

5 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

20 V

Qg-ゲートチャージ：

235 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 175 C

Pd-消費電力：

830 W

構成：

独身

チャネルモード：

強化

商標名：

HiPerFET

包装：

チューブ

高さ：

26.59 mm

長さ：

20.29 mm

シリーズ：

IXFK200N10

トランジスタタイプ：

1 N-Channel

タイプ：

PolarHiPerFETパワーMOSFET

幅：

5.31 mm

ブランド：

IXYS

フォワード相互コンダクタンス-最小：

60 S

立ち下がり時間：

90 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

35 ns

ファクトリーパックの数量：

25

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

150 ns

典型的なターンオン遅延時間：

30 ns

単位重量：

0.352740 oz

Tags

IXFK20, IXFK2, IXFK, IXF