2SAR562F3TR

製品属性

属性値

メーカー：

ロームセミコンダクター

製品カテゴリ：

バイポーラトランジスタ-BJT

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

DFN2020-3S

トランジスタの極性：

PNP

構成：

独身

コレクター-エミッター電圧VCEOMax：

- 30 V

コレクター-ベース電圧VCBO：

- 30 V

エミッタ-ベース電圧VEBO：

- 6 V

コレクター-エミッター飽和電圧：

- 150 mV

最大DCコレクタ電流：

- 7 A

ゲイン帯域幅積fT：

180 MHz

最高作動温度：

+ 150 C

DC電流ゲインhFEMax：

500

包装：

リール

ブランド：

ロームセミコンダクター

連続コレクタ電流：

- 6 A

DCコレクター/ベースゲインhfe最小：

200

Pd-消費電力：

2.1 W

製品タイプ：

BJT-バイポーラトランジスタ

ファクトリーパックの数量：

3000

サブカテゴリ：

トランジスタ

パーツ番号エイリアス：

2SAR562F3

Tags

2SAR5, 2SAR, 2SA