PSMN4R0-60YS,115

製品属性

属性値

メーカー：

Nexperia

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

E

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

LFPAK56-5

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

60 V

Id-連続ドレイン電流：

100 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

8.3 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

2 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

20 V

Qg-ゲートチャージ：

56 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 175 C

Pd-消費電力：

130 W

構成：

独身

チャネルモード：

強化

包装：

リール

トランジスタタイプ：

1 N-Channel

ブランド：

Nexperia

立ち下がり時間：

14 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

24 ns

ファクトリーパックの数量：

1500

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

44 ns

典型的なターンオン遅延時間：

23 ns

単位重量：

0.003002 oz

Tags

PSMN4R0, PSMN4, PSMN, PSM