IPW65R280C6

Mfr. #:: IPW65R280C6
メーカー:: Rochester Electronics, LLC
説明:: MOSFET N-Ch 700V 13.8A TO247-3 CoolMOS C6
ライフサイクル:: メーカー新製品
データシート:: IPW65R280C6 データシート
配達:: DHL FedEx Ups TNT EMS
支払い:: T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:

製品属性
属性値

メーカー: インフィニオン

製品カテゴリ: FET-シングル

シリーズ: CoolMOS C6

包装: チューブ

パーツエイリアス: IPW65R280C6FKSA1 IPW65R280C6XK SP000785060

単位重量: 1.340411 oz

取り付けスタイル: スルーホール

商標名: CoolMOS

パッケージ-ケース: TO-247-3

テクノロジー: Si

チャネル数: 1 Channel

構成: 独身

トランジスタタイプ: 1 N-Channel

Pd-電力損失: 104 W

最高作動温度: + 150 C

最低作動温度: - 55 C

立ち下がり時間: 12 ns

立ち上がり時間: 11 ns

Vgs-Gate-Source-Voltage: 20 V

Id-連続-ドレイン-電流: 13.8 A

Vds-ドレイン-ソース-ブレークダウン-電圧: 700 V

Rds-On-Drain-Source-Resistance: 280 mOhms

トランジスタ-極性: Nチャネル

典型的なターンオフ遅延時間: 105 nS

Qg-Gate-Charge: 45 nC

Tags: IPW65R2, IPW65R, IPW65, IPW6, IPW

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Market price

モデル	メーカー	説明	ストック	価格
IPW65R280C6FKSA1 DISTI # IPW65R280C6FKSA1-ND	Infineon Technologies AG	MOSFET N-CH 650V 13.8A TO247 RoHS: Compliant Min Qty: 240 Container: Tube	Limited Supply - Call
IPW65R280C6FKSA1 DISTI # 33AC5088	Infineon Technologies AG	MOSFET, N-CH, 650V, 13.8A, TO-247,Transistor Polarity:N Channel,Continuous Drain Current Id:13.8A,Drain Source Voltage Vds:650V,On Resistance Rds(on):0.25ohm,Rds(on) Test Voltage Vgs:10V,Threshold Voltage Vgs:3V,Power RoHS Compliant: Yes	179	1:$2.8600 10:$2.4800 25:$2.1700 50:$2.0300 100:$1.7600 250:$1.4800 500:$1.4300
IPW65R280C6 DISTI # 726-IPW65R280C6	Infineon Technologies AG	MOSFET N-Ch 700V 13.8A TO247-3 CoolMOS C6 RoHS: Compliant	110	1:$3.1300 10:$2.6600 100:$2.3100
IPW65R280C6FKSA1 DISTI # N/A	Infineon Technologies AG	MOSFET LOW POWER_LEGACY	0
IPW65R280C6FKSA1	Infineon Technologies AG	Power Field-Effect Transistor, 650V, 0.28ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247 RoHS: Compliant	4080	1000:$1.4200 500:$1.5000 100:$1.5600 25:$1.6200 1:$1.7500
IPW65R280C6FKSA1 DISTI # 2781347	Infineon Technologies AG	MOSFET, N-CH, 650V, 13.8A, TO-247 RoHS: Compliant	179	1:$3.5700 10:$3.3400 100:$2.9500
IPW65R280C6FKSA1 DISTI # 2781347	Infineon Technologies AG	MOSFET, N-CH, 650V, 13.8A, TO-247 RoHS: Compliant	179	1:£2.6700 10:£2.0200 100:£1.7400

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画像	モデル	説明
	Mfr.#: IPW65R110CFD OMO.#: OMO-IPW65R110CFD	MOSFET N-Ch 700V 31.2A TO247-3 CoolMOS CFD2
	Mfr.#: IPW65R110CFDFKSA1 OMO.#: OMO-IPW65R110CFDFKSA1	MOSFET N-Ch 700V 31.2A TO247-3 CoolMOS CFD2
	Mfr.#: IPW65R420CFDFKSA2 OMO.#: OMO-IPW65R420CFDFKSA2	MOSFET 650V CoolMOS CFD2 is Infineon's second generation of market leading high voltage CoolMOS MOSFETs with integrated fast body diode. The CFD2 devices are the successor of 600V CFD with improve
	Mfr.#: IPW65R125C7XKSA1 OMO.#: OMO-IPW65R125C7XKSA1-INFINEON-TECHNOLOGIES	MOSFET N-CH 650V TO247
	Mfr.#: IPW65R048CFDAFKSA1318 OMO.#: OMO-IPW65R048CFDAFKSA1318-1190	- Bulk (Alt: IPW65R048CFDAFKSA1318)
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	Mfr.#: IPW65R048CFDAFKSA1 OMO.#: OMO-IPW65R048CFDAFKSA1-INFINEON-TECHNOLOGIES	RF Bipolar Transistors MOSFET N-Ch 650V 63.3A TO247-3