BS870Q-7-F

製品属性

属性値

メーカー：

組み込まれたダイオード

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

SOT-23-3

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

60 V

Id-連続ドレイン電流：

250 mA

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

5 Ohms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

1 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

20 V

Qg-ゲートチャージ：

-

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

300 mW

構成：

独身

チャネルモード：

強化

資格：

AEC-Q101

包装：

リール

ブランド：

組み込まれたダイオード

製品タイプ：

MOSFET

ファクトリーパックの数量：

3000

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

5 ns

典型的なターンオン遅延時間：

2 ns

単位重量：

0.000317 oz

Tags

BS870, BS87, BS8