SI1016CX-T1-GE3

製品属性

属性値

メーカー：

ビシェイ

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

SC-89-6

チャネル数：

2 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル、Pチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

20 V

Id-連続ドレイン電流：

350 mA, 500 mA

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

396 mOhms, 756 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

400 mV

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

8 V

Qg-ゲートチャージ：

1.3 nC, 1.65 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

220 mW

構成：

デュアル

チャネルモード：

強化

商標名：

TrenchFET

包装：

リール

シリーズ：

SI1

トランジスタタイプ：

1 N-Channel, 1 P-Channel

ブランド：

Vishay / Siliconix

フォワード相互コンダクタンス-最小：

1 S, 2 S

立ち下がり時間：

8 ns, 11 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

10 ns, 16 ns

ファクトリーパックの数量：

3000

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

10 ns, 26 ns

典型的なターンオン遅延時間：

9 ns, 11 ns

単位重量：

0.000106 oz

Tags

SI1016C, SI1016, SI101, SI10, SI1