EFC8811R-TF

製品属性

属性値

メーカー：

オン・セミコンダクター

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

CSP-6

チャネル数：

2 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

12 V

Id-連続ドレイン電流：

27 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

6.3 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

500 mV

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

8 V

Qg-ゲートチャージ：

100 nC

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

2.5 W

構成：

デュアル

チャネルモード：

強化

包装：

リール

シリーズ：

EFC8811R

トランジスタタイプ：

2 N-Channel

ブランド：

オン・セミコンダクター

立ち下がり時間：

17.7 us

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

570 ns

ファクトリーパックの数量：

5000

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

38 us

典型的なターンオン遅延時間：

80 ns

単位重量：

0.002116 oz

Tags

EFC88, EFC8, EFC