STB23NM60ND

製品属性

属性値

メーカー：

STMicroelectronics

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

D2PAK-3

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

600 V

Id-連続ドレイン電流：

19.5 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

180 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

3 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

10 V

Qg-ゲートチャージ：

69 nC

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

150 W

構成：

独身

チャネルモード：

強化

包装：

リール

高さ：

4.6 mm

長さ：

10.4 mm

シリーズ：

STB23NM60ND

トランジスタタイプ：

1 N-Channel Power MOSFET

幅：

9.35 mm

ブランド：

STMicroelectronics

立ち下がり時間：

42 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

19 ns

ファクトリーパックの数量：

1000

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

92 ns

典型的なターンオン遅延時間：

21 ns

単位重量：

0.139332 oz

Tags

STB23NM, STB23N, STB23, STB2, STB