2SD1618T-TD-E

製品属性

属性値

メーカー：

オン・セミコンダクター

製品カテゴリ：

バイポーラトランジスタ-BJT

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

TO-243-3

トランジスタの極性：

NPN

構成：

独身

コレクター-エミッター電圧VCEOMax：

15 V

コレクター-ベース電圧VCBO：

20 V

エミッタ-ベース電圧VEBO：

5 V

コレクター-エミッター飽和電圧：

80 mV

ゲイン帯域幅積fT：

250 MHz

最高作動温度：

+ 150 C

シリーズ：

2SD1618

DC電流ゲインhFEMax：

560

包装：

リール

ブランド：

オン・セミコンダクター

連続コレクタ電流：

0.7 A

DCコレクター/ベースゲインhfe最小：

60

Pd-消費電力：

1.3 W

製品タイプ：

BJT-バイポーラトランジスタ

ファクトリーパックの数量：

1000

サブカテゴリ：

トランジスタ

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2SD1618, 2SD161, 2SD16, 2SD1, 2SD