PCP1208-TD-H

製品属性

属性値

メーカー：

オン・セミコンダクター

製品カテゴリ：

バイポーラトランジスタ-BJT

JBoss：

Y

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

SOT-89-3

トランジスタの極性：

NPN

構成：

独身

コレクター-エミッター電圧VCEOMax：

200 V

コレクター-ベース電圧VCBO：

220 V

エミッタ-ベース電圧VEBO：

8 V

コレクター-エミッター飽和電圧：

115 mV

最大DCコレクタ電流：

700 mA

ゲイン帯域幅積fT：

120 MHz

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

シリーズ：

PCP1208

DC電流ゲインhFEMax：

560

包装：

リール

ブランド：

オン・セミコンダクター

DCコレクター/ベースゲインhfe最小：

200

Pd-消費電力：

3.5 W

製品タイプ：

BJT-バイポーラトランジスタ

ファクトリーパックの数量：

1000

サブカテゴリ：

トランジスタ

単位重量：

0.001965 oz

Tags

PCP1208, PCP120, PCP12, PCP1, PCP