EMD12FHAT2R

製品属性

属性値

メーカー：

ロームセミコンダクター

製品カテゴリ：

バイポーラトランジスタ-プリバイアス

JBoss：

Y

構成：

デュアル

トランジスタの極性：

NPN、PNP

一般的な入力抵抗：

47 kOhms

典型的な抵抗比：

1

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

SOT-563-6

DCコレクター/ベースゲインhfe最小：

68

連続コレクタ電流：

00 mA

Pd-消費電力：

150 mW

最高作動温度：

+ 150 C

包装：

リール

出力電圧：

- 100 mV, 100 mV

ブランド：

ロームセミコンダクター

製品タイプ：

BJT-バイポーラトランジスタ-プリバイアス

資格：

AEC-Q101

ファクトリーパックの数量：

8000

サブカテゴリ：

トランジスタ

パーツ番号エイリアス：

EMD12FHA

Tags

EMD12, EMD1, EMD