D2009UK

製品属性

属性値

メーカー：

TTエレクトロニクス

製品カテゴリ：

RFMOSFETトランジスタ

トランジスタの極性：

Nチャネル

テクノロジー：

Si

Id-連続ドレイン電流：

2 A

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

65 V

利得：

10 dB

出力電力：

10 W

最高作動温度：

+ 150 C

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

DQ

構成：

デュアル

動作周波数：

1 GHz

タイプ：

RFパワーMOSFET

ブランド：

Semelab / TT Electronics

Pd-消費電力：

58 W

製品タイプ：

RFMOSFETトランジスタ

ファクトリーパックの数量：

25

サブカテゴリ：

MOSFET

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

20 V

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

1 V to 7 V

Tags

D2009, D200, D20