NCV84160DR2G

製品属性

属性値

メーカー：

オン・セミコンダクター

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

SOIC-8

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

41 V

Id-連続ドレイン電流：

3.5 mA

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

160 mOhms

最低動作温度：

- 40 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

1.49 W

構成：

独身

チャネルモード：

強化

資格：

AEC-Q101

包装：

リール

ブランド：

オン・セミコンダクター

感湿性：

はい

製品タイプ：

MOSFET

ファクトリーパックの数量：

2500

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

10 us

典型的なターンオン遅延時間：

10 us

Tags

NCV841, NCV84, NCV8, NCV