SZNUD3112LT1G

製品属性

属性値

メーカー：

オン・セミコンダクター

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

SOT-23-3

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

16 V

Id-連続ドレイン電流：

500 mA

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

900 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

800 mV

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

6 V

最低動作温度：

- 40 C

最高作動温度：

+ 85 C

Pd-消費電力：

225 mW

構成：

独身

チャネルモード：

強化

資格：

AEC-Q101

包装：

リール

シリーズ：

NUD3112

トランジスタタイプ：

1 N-Channel

ブランド：

オン・セミコンダクター

立ち下がり時間：

36 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

61 ns

ファクトリーパックの数量：

3000

サブカテゴリ：

MOSFET

単位重量：

0.000282 oz

Tags

SZNUD, SZNU, SZN