ZXT12N50DXTA

製品属性

属性値

メーカー：

組み込まれたダイオード

製品カテゴリ：

バイポーラトランジスタ-BJT

JBoss：

Y

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

MSOP-8

トランジスタの極性：

NPN

構成：

デュアル

コレクター-エミッター電圧VCEOMax：

50 V

コレクター-ベース電圧VCBO：

100 V

エミッタ-ベース電圧VEBO：

7.5 V

コレクター-エミッター飽和電圧：

135 mV

最大DCコレクタ電流：

3 A

ゲイン帯域幅積fT：

132 MHz

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

シリーズ：

ZXT12

DC電流ゲインhFEMax：

250 at 10 mA, 2 V

高さ：

0.95 mm

長さ：

3.1 mm

包装：

リール

幅：

3.1 mm

ブランド：

組み込まれたダイオード

連続コレクタ電流：

3 A

DCコレクター/ベースゲインhfe最小：

250 at 10 mA, 2 V, 300 at 1 A, 2 V, 150 at 3 A, 2 V, 50 at 5 A, 2 V

Pd-消費電力：

870 mW

製品タイプ：

BJT-バイポーラトランジスタ

ファクトリーパックの数量：

1000

サブカテゴリ：

トランジスタ

単位重量：

0.004938 oz

Tags

ZXT12N50DXT, ZXT12N5, ZXT12N, ZXT12, ZXT1, ZXT