PD85035C

製品属性

属性値

メーカー：

STMicroelectronics

製品カテゴリ：

RFMOSFETトランジスタ

JBoss：

Y

トランジスタの極性：

Nチャネル

テクノロジー：

Si

Id-連続ドレイン電流：

8 A

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

40 V

利得：

14.5 dB

出力電力：

35 W

最低動作温度：

- 65 C

最高作動温度：

+ 150 C

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

M243

包装：

バルク

構成：

独身

高さ：

4.45 mm (Max)

長さ：

9.4 mm (Max)

動作周波数：

1 GHz

シリーズ：

PD85035C

タイプ：

RFパワーMOSFET

幅：

6.1 mm (Max)

ブランド：

STMicroelectronics

チャネルモード：

強化

Pd-消費電力：

108 W

製品タイプ：

RFMOSFETトランジスタ

ファクトリーパックの数量：

50

サブカテゴリ：

MOSFET

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

15 V

Tags

PD8503, PD850, PD85, PD8