IPD60R650CEAUMA1

製品属性

属性値

メーカー：

インフィニオン

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

TO-252-3

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

600 V

Id-連続ドレイン電流：

9.9 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

540 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

2.5 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

20 V

Qg-ゲートチャージ：

20.5 nC

最低動作温度：

- 40 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

82 W

構成：

独身

チャネルモード：

強化

商標名：

CoolMOS

包装：

リール

高さ：

2.3 mm

長さ：

6.5 mm

シリーズ：

CoolMOS CE

トランジスタタイプ：

1 N-Channel

幅：

6.22 mm

ブランド：

インフィニオンテクノロジーズ

立ち下がり時間：

11 ns

感湿性：

はい

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

8 ns

ファクトリーパックの数量：

2500

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

58 ns

典型的なターンオン遅延時間：

10 ns

パーツ番号エイリアス：

IPD60R650CE SP001396884

単位重量：

0.011993 oz

Tags

IPD60R650CEA, IPD60R65, IPD60R6, IPD60R, IPD60, IPD6, IPD