PMBT5551,215

製品属性

属性値

メーカー：

Nexperia

製品カテゴリ：

バイポーラトランジスタ-BJT

JBoss：

Y

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

SOT-23-3

トランジスタの極性：

NPN

構成：

独身

コレクター-エミッター電圧VCEOMax：

160 V

コレクター-ベース電圧VCBO：

180 V

エミッタ-ベース電圧VEBO：

6 V

最大DCコレクタ電流：

0.3 A

ゲイン帯域幅積fT：

300 MHz

最低動作温度：

- 65 C

最高作動温度：

+ 150 C

DC電流ゲインhFEMax：

80 at 1 mA, 5 V

高さ：

1 mm

長さ：

3 mm

包装：

リール

幅：

1.4 mm

ブランド：

Nexperia

DCコレクター/ベースゲインhfe最小：

80 at 1 mA, 5 V, 80 at 10 mA, 5 V, 30 at 50 mA, 5 V

Pd-消費電力：

250 mW

製品タイプ：

BJT-バイポーラトランジスタ

資格：

AEC-Q101

ファクトリーパックの数量：

3000

サブカテゴリ：

トランジスタ

パーツ番号エイリアス：

PMBT5551 T/R

単位重量：

0.000282 oz

Tags

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