CSD87381P

製品属性

属性値

メーカー：

テキサスインスツルメンツ

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

PTAB-5

チャネル数：

2 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

30 V

Id-連続ドレイン電流：

8 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

16.3 mOhms, 7.6 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

1.1 V, 1 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

8 V

Qg-ゲートチャージ：

3.9 nC, 8.9 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

4 W

構成：

デュアル

チャネルモード：

強化

商標名：

NexFET

包装：

リール

高さ：

0.48 mm

長さ：

3 mm

シリーズ：

CSD87381P

トランジスタタイプ：

2 N-Channel

幅：

2.5 mm

ブランド：

テキサスインスツルメンツ

フォワード相互コンダクタンス-最小：

40 S, 89 S

開発キット：

CSD87381PEVM-603

立ち下がり時間：

3 ns, 2.9 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

19.3 ns, 16.3 ns

ファクトリーパックの数量：

2500

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

10.6 ns, 16.8 ns

典型的なターンオン遅延時間：

6.7 ns, 7.9 ns

Tags

CSD87381, CSD8738, CSD873, CSD87, CSD8, CSD