DMMT5551S-7-F

製品属性

属性値

メーカー：

組み込まれたダイオード

製品カテゴリ：

バイポーラトランジスタ-BJT

JBoss：

Y

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

SOT-26-6

トランジスタの極性：

NPN

構成：

デュアル

コレクター-エミッター電圧VCEOMax：

160 V

コレクター-ベース電圧VCBO：

180 V

エミッタ-ベース電圧VEBO：

6 V

コレクター-エミッター飽和電圧：

200 mV

最大DCコレクタ電流：

200 mA

ゲイン帯域幅積fT：

300 MHz

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

シリーズ：

DMMT5551

高さ：

1.1 mm

長さ：

3 mm

包装：

リール

幅：

1.6 mm

ブランド：

組み込まれたダイオード

DCコレクター/ベースゲインhfe最小：

30 at 50 mA, 5 V

Pd-消費電力：

300 mW

製品タイプ：

BJT-バイポーラトランジスタ

ファクトリーパックの数量：

3000

サブカテゴリ：

トランジスタ

単位重量：

0.001058 oz

Tags

DMMT5551S, DMMT55, DMMT5, DMMT, DMM