TK31V60W,LVQ

製品属性

属性値

メーカー：

東芝

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

DFN8x8-5

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

600 V

Id-連続ドレイン電流：

30.8 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

78 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

3.7 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

30 V

Qg-ゲートチャージ：

86 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

240 W

構成：

独身

チャネルモード：

強化

商標名：

DTMOSIV

包装：

リール

高さ：

0.85 mm

長さ：

8 mm

シリーズ：

TK31V60W

トランジスタタイプ：

1 N-Channel

幅：

8 mm

ブランド：

東芝

立ち下がり時間：

8.5 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

32 ns

ファクトリーパックの数量：

2500

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

165 ns

典型的なターンオン遅延時間：

70 ns

Tags

TK31V60W, TK31V, TK31, TK3