2N3495

製品属性

属性値

メーカー：

セントラルセミコンダクター

製品カテゴリ：

バイポーラトランジスタ-BJT

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

スルーホール

パッケージ/ケース：

TO-39-3

トランジスタの極性：

PNP

構成：

独身

コレクター-エミッター電圧VCEOMax：

120 V

コレクター-ベース電圧VCBO：

120 V

エミッタ-ベース電圧VEBO：

4.5 V

コレクター-エミッター飽和電圧：

0.35 V

ゲイン帯域幅積fT：

150 MHz

最低動作温度：

- 65 C

最高作動温度：

+ 200 C

シリーズ：

2N3495

包装：

バルク

ブランド：

セントラルセミコンダクター

連続コレクタ電流：

100 mA

DCコレクター/ベースゲインhfe最小：

35 at 100 uA, 10 V

Pd-消費電力：

3 W

製品タイプ：

BJT-バイポーラトランジスタ

ファクトリーパックの数量：

500

サブカテゴリ：

トランジスタ

パーツ番号エイリアス：

2N3495 PBFREE

Tags

2N349, 2N34, 2N3