FQD4P25TM-WS

製品属性

属性値

メーカー：

オン・セミコンダクター

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

TO-252-3

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Pチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

250 V

Id-連続ドレイン電流：

3.1 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

2.1 Ohms

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

30 V

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

45 W

構成：

独身

チャネルモード：

強化

商標名：

QFET

包装：

リール

高さ：

2.39 mm

長さ：

6.73 mm

シリーズ：

FQD4P25TM_WS

トランジスタタイプ：

1 P-Channel

幅：

6.22 mm

ブランド：

オン・セミコンダクター/フェアチャイルド

立ち下がり時間：

27 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

60 ns

ファクトリーパックの数量：

2500

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

14 ns

典型的なターンオン遅延時間：

9.5 ns

パーツ番号エイリアス：

FQD4P25TM_WS

単位重量：

0.009184 oz

Tags

FQD4P25TM, FQD4P25T, FQD4P2, FQD4P, FQD4, FQD