SIR826DP-T1-GE3

製品属性

属性値

メーカー：

ビシェイ

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

PowerPAK-SO-8

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

80 V

Id-連続ドレイン電流：

60 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

4.8 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

1.2 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

10 V

Qg-ゲートチャージ：

60 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

104 W

構成：

独身

チャネルモード：

強化

商標名：

TrenchFET、PowerPAK

包装：

リール

高さ：

1.04 mm

長さ：

6.15 mm

シリーズ：

お客様

トランジスタタイプ：

1 N-Channel

幅：

5.15 mm

ブランド：

Vishay / Siliconix

フォワード相互コンダクタンス-最小：

80 S

立ち下がり時間：

8 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

11 ns

ファクトリーパックの数量：

3000

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

36 ns

典型的なターンオン遅延時間：

12 ns

パーツ番号エイリアス：

SIR826DP-GE3

単位重量：

0.017870 oz

Tags

SIR826D, SIR826, SIR82, SIR8, SIR