2SA1727TLQ

製品属性

属性値

メーカー：

ロームセミコンダクター

製品カテゴリ：

バイポーラトランジスタ-BJT

JBoss：

Y

トランジスタの極性：

PNP

構成：

独身

コレクター-エミッター電圧VCEOMax：

400 V

コレクター-ベース電圧VCBO：

400 V

エミッタ-ベース電圧VEBO：

7 V

最大DCコレクタ電流：

0.5 A

ゲイン帯域幅積fT：

12 MHz

最高作動温度：

+ 150 C

DC電流ゲインhFEMax：

120

高さ：

2.3 mm

長さ：

6.5 mm

包装：

リール

幅：

5.5 mm

ブランド：

ロームセミコンダクター

DCコレクター/ベースゲインhfe最小：

120

Pd-消費電力：

1000 mW

製品タイプ：

BJT-バイポーラトランジスタ

ファクトリーパックの数量：

2500

サブカテゴリ：

トランジスタ

Tags

2SA1727TL, 2SA1727T, 2SA1727, 2SA172, 2SA17, 2SA1, 2SA