TSM9926DCS RLG

製品属性

属性値

メーカー：

台湾積体電路

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

SOP-8

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

20 V

Id-連続ドレイン電流：

6 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

21 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

600 mV

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

4.5 V

Qg-ゲートチャージ：

4.86 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

1.6 W

構成：

独身

チャネルモード：

強化

包装：

リール

製品：

整流器

トランジスタタイプ：

デュアルNチャネル

ブランド：

台湾積体電路

フォワード相互コンダクタンス-最小：

30 S

立ち下がり時間：

5.35 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

9.95 ns

ファクトリーパックの数量：

2500

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

21.85 ns

典型的なターンオン遅延時間：

8.1 ns

Tags

TSM9926DCSR, TSM9926DC, TSM9926D, TSM992, TSM99, TSM9, TSM