NJVMJD350T4G

製品属性

属性値

メーカー：

オン・セミコンダクター

製品カテゴリ：

バイポーラトランジスタ-BJT

JBoss：

Y

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

DPAK-3

トランジスタの極性：

PNP

構成：

独身

コレクター-エミッター電圧VCEOMax：

300 V

コレクター-ベース電圧VCBO：

300 V

エミッタ-ベース電圧VEBO：

3 V

コレクター-エミッター飽和電圧：

1 V

最大DCコレクタ電流：

750 mA

ゲイン帯域幅積fT：

10 MHz

最低動作温度：

- 65 C

最高作動温度：

+ 150 C

シリーズ：

MJD350

DC電流ゲインhFEMax：

240

包装：

リール

ブランド：

オン・セミコンダクター

連続コレクタ電流：

0.5 A

DCコレクター/ベースゲインhfe最小：

30

Pd-消費電力：

15 W

製品タイプ：

BJT-バイポーラトランジスタ

資格：

AEC-Q101

ファクトリーパックの数量：

2500

サブカテゴリ：

トランジスタ

単位重量：

0.009185 oz

Tags

NJVMJD3, NJVMJD, NJVM, NJV