FDS3612

製品属性

属性値

メーカー：

オン・セミコンダクター

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

SO-8

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

100 V

Id-連続ドレイン電流：

3.4 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

120 mOhms

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

20 V

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 175 C

Pd-消費電力：

2.5 W

構成：

独身

チャネルモード：

強化

包装：

リール

高さ：

1.75 mm

長さ：

4.9 mm

トランジスタタイプ：

1 N-Channel

タイプ：

MOSFET

幅：

3.9 mm

ブランド：

オン・セミコンダクター/フェアチャイルド

フォワード相互コンダクタンス-最小：

11 S

立ち下がり時間：

4.5 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

2 ns

ファクトリーパックの数量：

2500

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

23 ns

典型的なターンオン遅延時間：

8.5 ns

単位重量：

0.002998 oz

Tags

FDS36, FDS3, FDS