MRF13750H-1300

製品属性

属性値

メーカー：

NXP

製品カテゴリ：

RFMOSFETトランジスタ

トランジスタの極性：

デュアルNチャネル

テクノロジー：

Si

Id-連続ドレイン電流：

2.8 A

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

- 500 mV, 105 V

利得：

20.5 dB

出力電力：

750 W

最低動作温度：

- 40 C

最高作動温度：

+ 150 C

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

NI-1230H-4

動作周波数：

700 MHz to 1300 MHz

シリーズ：

MRF13750H

タイプ：

RFパワーMOSFET

ブランド：

NXPセミコンダクターズ

チャネル数：

2 Channel

Pd-消費電力：

1.333 kW

製品タイプ：

RFMOSFETトランジスタ

ファクトリーパックの数量：

1

サブカテゴリ：

MOSFET

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

- 6 V, 10 V

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

1.3 V

パーツ番号エイリアス：

935368922598

Tags

MRF13750H, MRF1375, MRF137, MRF13, MRF1, MRF