STS9P2UH7

製品属性

属性値

メーカー：

STMicroelectronics

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

SOIC-8

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Pチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

20 V

Id-連続ドレイン電流：

9 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

22.5 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

400 mV

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

8 V

Qg-ゲートチャージ：

22 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

2.7 W

構成：

独身

チャネルモード：

強化

包装：

リール

シリーズ：

STS9P2UH7

トランジスタタイプ：

1 P-Channel

ブランド：

STMicroelectronics

立ち下がり時間：

84.5 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

30.5 ns

ファクトリーパックの数量：

2500

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

128 ns

典型的なターンオン遅延時間：

12.5 ns

単位重量：

0.017870 oz

Tags

STS9, STS