SQS944ENW-T1_GE3

製品属性

属性値

メーカー：

ビシェイ

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

PowerPAK-1212-8

チャネル数：

2 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

40 V

Id-連続ドレイン電流：

6 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

25 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

1.5 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

10 V

Qg-ゲートチャージ：

0.76 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 175 C

Pd-消費電力：

27.8 W

構成：

デュアル

チャネルモード：

強化

包装：

リール

トランジスタタイプ：

2 N-Channel

ブランド：

ビシェイ半導体

フォワード相互コンダクタンス-最小：

2.5 S

立ち下がり時間：

7 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

2.2 ns

ファクトリーパックの数量：

3000

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

15 ns

典型的なターンオン遅延時間：

7.6 ns

Tags

SQS