ZXM62P02E6TA

製品属性

属性値

メーカー：

組み込まれたダイオード

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

SOT-26-6

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Pチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

20 V

Id-連続ドレイン電流：

2.3 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

200 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

700 mV

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

4.5 V

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

1.1 W

構成：

独身

チャネルモード：

強化

包装：

リール

高さ：

1.3 mm

長さ：

3.1 mm

製品：

MOSFET小信号

シリーズ：

ZXM62

トランジスタタイプ：

1 P-Channel

タイプ：

MOSFET

幅：

1.8 mm

ブランド：

組み込まれたダイオード

フォワード相互コンダクタンス-最小：

1.5 S

立ち下がり時間：

19.2 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

15.4 ns

ファクトリーパックの数量：

3000

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

12 ns

典型的なターンオン遅延時間：

4.1 ns

単位重量：

0.000529 oz

Tags

ZXM62P02E6TA, ZXM62P02E6T, ZXM62P02, ZXM62P, ZXM62, ZXM6, ZXM